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CTLV5020SF-1R5M

CTLV5020SF-1R5M

Central Technologies

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.5UH 3.15A 23 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
3.15 A
DC-Widerstand (DCR)
23mOhm
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV5020SF-1R5M.

Induktivität
1.5 µH

CTLV5020SF-1R5M hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.15 A

CTLV5020SF-1R5M ist für 3.15 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
23mOhm

CTLV5020SF-1R5M hat einen DC-Widerstand von 23mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

CTLV5020SF-1R5M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.15 A
DC-Widerstand (DCR)23mOhm
Sättigungsstrom4.41A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 3.15A 23 MOHM
SerieCTLV5020SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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