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CTLV5020SF-220M

CTLV5020SF-220M

Central Technologies

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 900MA 265 MOHM

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
900 mA
DC-Widerstand (DCR)
265mOhm
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV5020SF-220M.

Induktivität
22 µH

CTLV5020SF-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA

CTLV5020SF-220M ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
265mOhm

CTLV5020SF-220M hat einen DC-Widerstand von 265mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

CTLV5020SF-220M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom900 mA
DC-Widerstand (DCR)265mOhm
Sättigungsstrom1.08A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 22UH 900MA 265 MOHM
SerieCTLV5020SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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