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CTLV5020SF-3R9M

CTLV5020SF-3R9M

Central Technologies

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.9UH 2.34A 53 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
2.34 A
DC-Widerstand (DCR)
53mOhm
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV5020SF-3R9M.

Induktivität
3.9 µH

CTLV5020SF-3R9M hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.34 A

CTLV5020SF-3R9M ist für 2.34 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
53mOhm

CTLV5020SF-3R9M hat einen DC-Widerstand von 53mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

CTLV5020SF-3R9M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.9 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.34 A
DC-Widerstand (DCR)53mOhm
Sättigungsstrom2.61A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.9UH 2.34A 53 MOHM
SerieCTLV5020SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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