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CTLV5020SF-6R8M

CTLV5020SF-6R8M

Central Technologies

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 1.62A 93 MOHM

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
1.62 A
DC-Widerstand (DCR)
93mOhm
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV5020SF-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

CTLV5020SF-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.62 A

CTLV5020SF-6R8M ist für 1.62 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
93mOhm

CTLV5020SF-6R8M hat einen DC-Widerstand von 93mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

CTLV5020SF-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.62 A
DC-Widerstand (DCR)93mOhm
Sättigungsstrom1.98A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 1.62A 93 MOHM
SerieCTLV5020SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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