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CTLV5040SF-1R5M

CTLV5040SF-1R5M

Central Technologies

2020 (5050 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.5UH 4.86A 14 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
4.86 A
DC-Widerstand (DCR)
14mOhm Max
Abmessungen
0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV5040SF-1R5M.

Induktivität
1.5 µH

CTLV5040SF-1R5M hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.86 A

CTLV5040SF-1R5M ist für 4.86 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14mOhm Max

CTLV5040SF-1R5M hat einen DC-Widerstand von 14mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020 (5050 Metric)

CTLV5040SF-1R5M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.86 A
DC-Widerstand (DCR)14mOhm Max
Sättigungsstrom7.11A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.197 L x 0.197 W (5.00mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2020 (5050 Metric)
Gehäuse / Ausführung2020 (5050 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 4.86A 14 MOHM
SerieCTLV5040SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2020
Höhe - sitzend (max.)0.165 (4.20mm)
Merkmale-

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