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CTLV8040SF-100M

CTLV8040SF-100M

Central Technologies

3131 (8080 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 3.42A 38 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
3.42 A
DC-Widerstand (DCR)
38mOhm
Abmessungen
0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV8040SF-100M.

Induktivität
10 µH

CTLV8040SF-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.42 A

CTLV8040SF-100M ist für 3.42 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
38mOhm

CTLV8040SF-100M hat einen DC-Widerstand von 38mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131 (8080 Metric)

CTLV8040SF-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.42 A
DC-Widerstand (DCR)38mOhm
Sättigungsstrom4.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe3131 (8080 Metric)
Gehäuse / Ausführung3131 (8080 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 3.42A 38 MOHM SMD
SerieCTLV8040SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3131
Höhe - sitzend (max.)0.165 (4.20mm)
Merkmale-

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