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CTLV8040SF-220M

CTLV8040SF-220M

Central Technologies

3131 (8080 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 2.43A 82 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
2.43 A
DC-Widerstand (DCR)
82mOhm
Abmessungen
0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLV8040SF-220M.

Induktivität
22 µH

CTLV8040SF-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.43 A

CTLV8040SF-220M ist für 2.43 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
82mOhm

CTLV8040SF-220M hat einen DC-Widerstand von 82mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
3131 (8080 Metric)

CTLV8040SF-220M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 3131 (8080 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.43 A
DC-Widerstand (DCR)82mOhm
Sättigungsstrom3.06A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm)
Gehäuse / Größe3131 (8080 Metric)
Gehäuse / Ausführung3131 (8080 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 22UH 2.43A 82 MOHM SMD
SerieCTLV8040SF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse3131
Höhe - sitzend (max.)0.165 (4.20mm)
Merkmale-

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