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CTLVC6020F-2R2M

CTLVC6020F-2R2M

Central Technologies

2424 (6060 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 3.2A 34 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
3.2 A
DC-Widerstand (DCR)
34mOhm
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVC6020F-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CTLVC6020F-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.2 A

CTLVC6020F-2R2M ist für 3.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
34mOhm

CTLVC6020F-2R2M hat einen DC-Widerstand von 34mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2424 (6060 Metric)

CTLVC6020F-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2424 (6060 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.2 A
DC-Widerstand (DCR)34mOhm
Sättigungsstrom4.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / Größe2424 (6060 Metric)
Gehäuse / Ausführung2424 (6060 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 3.2A 34 MOHM SMD
SerieCTLVC6020F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2424
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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