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CTLVC6020F-3R3M

CTLVC6020F-3R3M

Central Technologies

2424 (6060 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 2.7A 40 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
2.7 A
DC-Widerstand (DCR)
40mOhm
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVC6020F-3R3M.

Induktivität
3.3 µH

CTLVC6020F-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.7 A

CTLVC6020F-3R3M ist für 2.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
40mOhm

CTLVC6020F-3R3M hat einen DC-Widerstand von 40mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2424 (6060 Metric)

CTLVC6020F-3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2424 (6060 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.7 A
DC-Widerstand (DCR)40mOhm
Sättigungsstrom3.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / Größe2424 (6060 Metric)
Gehäuse / Ausführung2424 (6060 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 2.7A 40 MOHM SMD
SerieCTLVC6020F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2424
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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