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CTLVC6020F-6R8M

CTLVC6020F-6R8M

Central Technologies

2424 (6060 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 1.8A 85 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
1.8 A
DC-Widerstand (DCR)
85mOhm
Abmessungen
0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVC6020F-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

CTLVC6020F-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.8 A

CTLVC6020F-6R8M ist für 1.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
85mOhm

CTLVC6020F-6R8M hat einen DC-Widerstand von 85mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2424 (6060 Metric)

CTLVC6020F-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2424 (6060 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.8 A
DC-Widerstand (DCR)85mOhm
Sättigungsstrom2.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.236 L x 0.236 W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / Größe2424 (6060 Metric)
Gehäuse / Ausführung2424 (6060 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 1.8A 85 MOHM SMD
SerieCTLVC6020F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2424
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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