Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTLVC8040F-3R3N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 5.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 15mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVC8040F-3R3N.
CTLVC8040F-3R3N hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTLVC8040F-3R3N ist für 5.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTLVC8040F-3R3N hat einen DC-Widerstand von 15mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTLVC8040F-3R3N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 5.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 15mOhm |
| Sättigungsstrom | 6.75A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.315 L x 0.315 W (8.00mm x 8.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 5.4A 15 MOHM SMD |
| Serie | CTLVC8040F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.165 (4.20mm) |
