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CTLVH2010F-220M

CTLVH2010F-220M

Central Technologies

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 450MA 1.3 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
450 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVH2010F-220M.

Induktivität
22 µH

CTLVH2010F-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
450 mA

CTLVH2010F-220M ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max

CTLVH2010F-220M hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

CTLVH2010F-220M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom450 mA
DC-Widerstand (DCR)1.3Ohm Max
Sättigungsstrom550mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 22UH 450MA 1.3 OHM SMD
SerieCTLVH2010F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz9MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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