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CTLVH2010F-4R7M

CTLVH2010F-4R7M

Central Technologies

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 960MA 308 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
960 mA
DC-Widerstand (DCR)
308mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVH2010F-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

CTLVH2010F-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
960 mA

CTLVH2010F-4R7M ist für 960 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
308mOhm Max

CTLVH2010F-4R7M hat einen DC-Widerstand von 308mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

CTLVH2010F-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom960 mA
DC-Widerstand (DCR)308mOhm Max
Sättigungsstrom1.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 960MA 308 MOHM
SerieCTLVH2010F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz25MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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