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CTLVH2012F-4R7M

CTLVH2012F-4R7M

Central Technologies

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 1.2A 270 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
270mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVH2012F-4R7M.

Induktivität
4.7 µH

CTLVH2012F-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

CTLVH2012F-4R7M ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
270mOhm Max

CTLVH2012F-4R7M hat einen DC-Widerstand von 270mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

CTLVH2012F-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)270mOhm Max
Sättigungsstrom1.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 1.2A 270 MOHM
SerieCTLVH2012F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz26MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.047 (1.20mm)
Merkmale-

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