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CTM1F-1R8K

CTM1F-1R8K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 1.8UH 455MA 300 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.8 µH
Nennstrom
455 mA
DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max
Abmessungen
0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTM1F-1R8K.

Induktivität
1.8 µH

CTM1F-1R8K hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
455 mA

CTM1F-1R8K ist für 455 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max

CTM1F-1R8K hat einen DC-Widerstand von 300mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTM1F-1R8K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.8 µH
Toleranz±10%
Nennstrom455 mA
DC-Widerstand (DCR)300mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.8UH 455MA 300 MOHM
SerieCTM1F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz125MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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