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CTM1F-4R7K

CTM1F-4R7K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 230MA 1.2 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
230 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max
Abmessungen
0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTM1F-4R7K.

Induktivität
4.7 µH

CTM1F-4R7K hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
230 mA

CTM1F-4R7K ist für 230 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max

CTM1F-4R7K hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTM1F-4R7K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom230 mA
DC-Widerstand (DCR)1.2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 230MA 1.2 OHM TH
SerieCTM1F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz75MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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