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CTM1F-R33K

CTM1F-R33K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 330NH 815MA 220 MOHM

Technische Daten

Induktivität
330 nH
Nennstrom
815 mA
DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max
Abmessungen
0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTM1F-R33K.

Induktivität
330 nH

CTM1F-R33K hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
815 mA

CTM1F-R33K ist für 815 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max

CTM1F-R33K hat einen DC-Widerstand von 220mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTM1F-R33K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±10%
Nennstrom815 mA
DC-Widerstand (DCR)220mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 330NH 815MA 220 MOHM
SerieCTM1F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz410MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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