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CTM2F-100K

CTM2F-100K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 335MA 900 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
335 mA
DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max
Abmessungen
0.156 Dia x 0.375 L (3.96mm x 9.52mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTM2F-100K.

Induktivität
10 µH

CTM2F-100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
335 mA

CTM2F-100K ist für 335 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max

CTM2F-100K hat einen DC-Widerstand von 900mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTM2F-100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom335 mA
DC-Widerstand (DCR)900mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.156 Dia x 0.375 L (3.96mm x 9.52mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 335MA 900 MOHM TH
SerieCTM2F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz55 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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