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CTM2F-4R7K

CTM2F-4R7K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 294MA 2.6 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
294 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.6Ohm Max
Abmessungen
0.156 Dia x 0.375 L (3.96mm x 9.52mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTM2F-4R7K.

Induktivität
4.7 µH

CTM2F-4R7K hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
294 mA

CTM2F-4R7K ist für 294 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.6Ohm Max

CTM2F-4R7K hat einen DC-Widerstand von 2.6Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTM2F-4R7K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom294 mA
DC-Widerstand (DCR)2.6Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.156 Dia x 0.375 L (3.96mm x 9.52mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 294MA 2.6 OHM TH
SerieCTM2F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz33 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz90MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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