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CTMC1008F-101J

CTMC1008F-101J

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 60MA 21 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
60 mA
DC-Widerstand (DCR)
21Ohm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1008F-101J.

Induktivität
100 µH

CTMC1008F-101J hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
60 mA

CTMC1008F-101J ist für 60 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
21Ohm Max

CTMC1008F-101J hat einen DC-Widerstand von 21Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTMC1008F-101J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±5%
Nennstrom60 mA
DC-Widerstand (DCR)21Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-45°C ~ 85°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100UH 60MA 21 OHM SMD
SerieCTMC1008F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz12MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.075 (1.90mm)
Merkmale-

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