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CTMC1008F-1R5J

CTMC1008F-1R5J

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.5UH 220MA 1.3 OHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
220 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1008F-1R5J.

Induktivität
1.5 µH

CTMC1008F-1R5J hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
220 mA

CTMC1008F-1R5J ist für 220 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max

CTMC1008F-1R5J hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTMC1008F-1R5J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±5%
Nennstrom220 mA
DC-Widerstand (DCR)1.3Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-45°C ~ 85°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 220MA 1.3 OHM
SerieCTMC1008F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz182MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.075 (1.90mm)
Merkmale-

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