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CTMC1008F-470J

CTMC1008F-470J

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 47UH 80MA 11.1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
47 µH
Nennstrom
80 mA
DC-Widerstand (DCR)
11.1Ohm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1008F-470J.

Induktivität
47 µH

CTMC1008F-470J hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA

CTMC1008F-470J ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11.1Ohm Max

CTMC1008F-470J hat einen DC-Widerstand von 11.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTMC1008F-470J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität47 µH
Toleranz±5%
Nennstrom80 mA
DC-Widerstand (DCR)11.1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-45°C ~ 85°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 47UH 80MA 11.1 OHM SMD
SerieCTMC1008F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz17MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.075 (1.90mm)
Merkmale-

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