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CTMC1210SF-R12K

CTMC1210SF-R12K

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 450MA 220 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
450 mA
DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1210SF-R12K.

Induktivität
120 nH

CTMC1210SF-R12K hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
450 mA

CTMC1210SF-R12K ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
220mOhm Max

CTMC1210SF-R12K hat einen DC-Widerstand von 220mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTMC1210SF-R12K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±10%
Nennstrom450 mA
DC-Widerstand (DCR)220mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120NH 450MA 220 MOHM
SerieCTMC1210SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 25.2MHz
Eigenresonanzfrequenz875MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.094 (2.40mm)
Merkmale-

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