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CTMC1812SF-120J

CTMC1812SF-120J

Central Technologies

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 12UH 225MA 2 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
12 µH
Nennstrom
225 mA
DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max
Abmessungen
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1812SF-120J.

Induktivität
12 µH

CTMC1812SF-120J hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
225 mA

CTMC1812SF-120J ist für 225 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2Ohm Max

CTMC1812SF-120J hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

CTMC1812SF-120J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität12 µH
Toleranz±5%
Nennstrom225 mA
DC-Widerstand (DCR)2Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 12UH 225MA 2 OHM SMD
SerieCTMC1812SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz20MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134 (3.40mm)
Merkmale-

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