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CTMC1812SF-121J

CTMC1812SF-121J

Central Technologies

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120UH 110MA 8 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
120 µH
Nennstrom
110 mA
DC-Widerstand (DCR)
8Ohm Max
Abmessungen
0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1812SF-121J.

Induktivität
120 µH

CTMC1812SF-121J hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
110 mA

CTMC1812SF-121J ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
8Ohm Max

CTMC1812SF-121J hat einen DC-Widerstand von 8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

CTMC1812SF-121J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 µH
Toleranz±5%
Nennstrom110 mA
DC-Widerstand (DCR)8Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.177 L x 0.126 W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120UH 110MA 8 OHM SMD
SerieCTMC1812SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz7MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.134 (3.40mm)
Merkmale-

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