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CTML0603F-1R8M

CTML0603F-1R8M

Central Technologies

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.8UH 25MA 950 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.8 µH
Nennstrom
25 mA
DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max
Abmessungen
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTML0603F-1R8M.

Induktivität
1.8 µH

CTML0603F-1R8M hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
25 mA

CTML0603F-1R8M ist für 25 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
950mOhm Max

CTML0603F-1R8M hat einen DC-Widerstand von 950mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

CTML0603F-1R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom25 mA
DC-Widerstand (DCR)950mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.8UH 25MA 950 MOHM
SerieCTML0603F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz35 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz55MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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