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CTML0805F-2R7K

CTML0805F-2R7K

Central Technologies

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.7UH 30MA 750 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
30 mA
DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTML0805F-2R7K.

Induktivität
2.7 µH

CTML0805F-2R7K hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
30 mA

CTML0805F-2R7K ist für 30 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
750mOhm Max

CTML0805F-2R7K hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CTML0805F-2R7K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom30 mA
DC-Widerstand (DCR)750mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.7UH 30MA 750 MOHM
SerieCTML0805F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz45 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.057 (1.45mm)
Merkmale-

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