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CTML1206F-3R3K

CTML1206F-3R3K

Central Technologies

1206 (3216 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 50MA 700 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
50 mA
DC-Widerstand (DCR)
700mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTML1206F-3R3K.

Induktivität
3.3 µH

CTML1206F-3R3K hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
50 mA

CTML1206F-3R3K ist für 50 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
700mOhm Max

CTML1206F-3R3K hat einen DC-Widerstand von 700mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206 (3216 Metric)

CTML1206F-3R3K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±10%
Nennstrom50 mA
DC-Widerstand (DCR)700mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe1206 (3216 Metric)
Gehäuse / Ausführung1206 (3216 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 50MA 700 MOHM
SerieCTML1206F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz45 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz41MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1206
Höhe - sitzend (max.)0.051 (1.30mm)
Merkmale-

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