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CTML1206F-R33K

CTML1206F-R33K

Central Technologies

1206 (3216 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 330NH 250MA 600 MOHM

Technische Daten

Induktivität
330 nH
Nennstrom
250 mA
DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTML1206F-R33K.

Induktivität
330 nH

CTML1206F-R33K hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
250 mA

CTML1206F-R33K ist für 250 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max

CTML1206F-R33K hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206 (3216 Metric)

CTML1206F-R33K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±10%
Nennstrom250 mA
DC-Widerstand (DCR)600mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe1206 (3216 Metric)
Gehäuse / Ausführung1206 (3216 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 330NH 250MA 600 MOHM
SerieCTML1206F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz30 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz145MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1206
Höhe - sitzend (max.)0.051 (1.30mm)
Merkmale-

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