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CTMMP2712F-2R5M

CTMMP2712F-2R5M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP2712F-2R5M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.5 µH, Nennstrom 11 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 22mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.5 µH
Nennstrom
11 A
DC-Widerstand (DCR)
22mOhm
Abmessungen
0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP2712F-2R5M.

Induktivität
2.5 µH

CTMMP2712F-2R5M hat eine Induktivität von 2.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
11 A

CTMMP2712F-2R5M ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
22mOhm

CTMMP2712F-2R5M hat einen DC-Widerstand von 22mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.5 µH
Toleranz±20%
Nennstrom11 A
DC-Widerstand (DCR)22mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.5UH 11A 22 MOHM SMD
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

Vorschau