CTMMP2712F-3R3M

CTMMP2712F-3R3M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP2712F-3R3M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 10 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
10 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm
Abmessungen
0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP2712F-3R3M.

Induktivität
3.3 µH

CTMMP2712F-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
10 A

CTMMP2712F-3R3M ist für 10 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm

CTMMP2712F-3R3M hat einen DC-Widerstand von 30mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom10 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 10A 30 MOHM SMD
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

Vorschau

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