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CTMMP2712F-R33M

CTMMP2712F-R33M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP2712F-R33M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.33 µH, Nennstrom 28 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.9mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.33 µH
Nennstrom
28 A
DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm
Abmessungen
0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP2712F-R33M.

Induktivität
0.33 µH

CTMMP2712F-R33M hat eine Induktivität von 0.33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
28 A

CTMMP2712F-R33M ist für 28 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.9mOhm

CTMMP2712F-R33M hat einen DC-Widerstand von 3.9mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität0.33 µH
Toleranz±20%
Nennstrom28 A
DC-Widerstand (DCR)3.9mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 0.33UH 28A 3.9 MOHM
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

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