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CTMMP2712F-R47M

CTMMP2712F-R47M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP2712F-R47M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.47 µH, Nennstrom 24 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.2mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.47 µH
Nennstrom
24 A
DC-Widerstand (DCR)
4.2mOhm
Abmessungen
0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP2712F-R47M.

Induktivität
0.47 µH

CTMMP2712F-R47M hat eine Induktivität von 0.47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
24 A

CTMMP2712F-R47M ist für 24 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.2mOhm

CTMMP2712F-R47M hat einen DC-Widerstand von 4.2mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität0.47 µH
Toleranz±20%
Nennstrom24 A
DC-Widerstand (DCR)4.2mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 0.47UH 24A 4.2 MOHM
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

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