Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP2712F-R82M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.82 µH, Nennstrom 19 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 8mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP2712F-R82M.
CTMMP2712F-R82M hat eine Induktivität von 0.82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTMMP2712F-R82M ist für 19 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTMMP2712F-R82M hat einen DC-Widerstand von 8mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.82 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 19 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 8mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.287 L x 0.268 W (7.30mm x 6.80mm) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 0.82UH 19A 8 MOHM SMD |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.118 (3.00mm) |
