CTMMP5015F-R82M

CTMMP5015F-R82M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP5015F-R82M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.82 µH, Nennstrom 44 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 3mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.82 µH
Nennstrom
44 A
DC-Widerstand (DCR)
3mOhm
Abmessungen
0.551 L x 0.508 W (14.00mm x 12.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP5015F-R82M.

Induktivität
0.82 µH

CTMMP5015F-R82M hat eine Induktivität von 0.82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
44 A

CTMMP5015F-R82M ist für 44 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3mOhm

CTMMP5015F-R82M hat einen DC-Widerstand von 3mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität0.82 µH
Toleranz±20%
Nennstrom44 A
DC-Widerstand (DCR)3mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.551 L x 0.508 W (14.00mm x 12.90mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 0.82UH 44A 3 MOHM SMD
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.150 (3.80mm)

Vorschau

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