Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP5026F-2R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 33 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.2mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP5026F-2R2M.
CTMMP5026F-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTMMP5026F-2R2M ist für 33 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTMMP5026F-2R2M hat einen DC-Widerstand von 4.2mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 33 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 4.2mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.543 L x 0.508 W (13.80mm x 12.90mm) |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 33A 4.2 MOHM SMD |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.264 (6.70mm) |
