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CTMMP73VCZF-R82M

CTMMP73VCZF-R82M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP73VCZF-R82M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.82 µH, Nennstrom 23 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 7.5mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.82 µH
Nennstrom
23 A
DC-Widerstand (DCR)
7.5mOhm
Abmessungen
0.260 L x 0.287 W (6.60mm x 7.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP73VCZF-R82M.

Induktivität
0.82 µH

CTMMP73VCZF-R82M hat eine Induktivität von 0.82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
23 A

CTMMP73VCZF-R82M ist für 23 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7.5mOhm

CTMMP73VCZF-R82M hat einen DC-Widerstand von 7.5mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität0.82 µH
Toleranz±20%
Nennstrom23 A
DC-Widerstand (DCR)7.5mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.260 L x 0.287 W (6.60mm x 7.30mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 0.82UH 23A 7.5 MOHM
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.118 (3.00mm)

Vorschau