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CTMMP8751F-2R2M

CTMMP8751F-2R2M

Central Technologies

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTMMP8751F-2R2M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 48 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.25mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
48 A
DC-Widerstand (DCR)
1.25mOhm
Abmessungen
0.886 L x 0.866 W (22.50mm x 22.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMMP8751F-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CTMMP8751F-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
48 A

CTMMP8751F-2R2M ist für 48 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.25mOhm

CTMMP8751F-2R2M hat einen DC-Widerstand von 1.25mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom48 A
DC-Widerstand (DCR)1.25mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.886 L x 0.866 W (22.50mm x 22.00mm)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 48A 1.25 MOHM
ProduktstatusActive
AbschirmungShielded
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.512 (13.00mm)

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