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CTMPC100805F-2R2M

CTMPC100805F-2R2M

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 2A 115 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
115mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMPC100805F-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

CTMPC100805F-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

CTMPC100805F-2R2M ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
115mOhm Max

CTMPC100805F-2R2M hat einen DC-Widerstand von 115mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTMPC100805F-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)115mOhm Max
Sättigungsstrom3.3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 2A 115 MOHM SMD
SerieCTMPC100805F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.047 (1.20mm)
Merkmale-

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