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CTMPC121004PF-1R0M

CTMPC121004PF-1R0M

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 3A 56 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
3 A
DC-Widerstand (DCR)
56mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMPC121004PF-1R0M.

Induktivität
1 µH

CTMPC121004PF-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3 A

CTMPC121004PF-1R0M ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
56mOhm Max

CTMPC121004PF-1R0M hat einen DC-Widerstand von 56mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTMPC121004PF-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3 A
DC-Widerstand (DCR)56mOhm Max
Sättigungsstrom4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 3A 56 MOHM SMD
SerieCTMPC121004PF
ProduktstatusObsolete
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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