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CTR1330F-100K

CTR1330F-100K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 130MA 3.7 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
130 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.7Ohm Max
Abmessungen
0.313 L x 0.115 W (7.94mm x 2.93mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTR1330F-100K.

Induktivität
10 µH

CTR1330F-100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
130 mA

CTR1330F-100K ist für 130 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.7Ohm Max

CTR1330F-100K hat einen DC-Widerstand von 3.7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTR1330F-100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom130 mA
DC-Widerstand (DCR)3.7Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.313 L x 0.115 W (7.94mm x 2.93mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 130MA 3.7 OHM SMD
SerieCTR1330F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz55 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz50MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.145 (3.68mm)
Merkmale-

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