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CTR1330F-1R2K

CTR1330F-1R2K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1.2UH 590MA 180 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
590 mA
DC-Widerstand (DCR)
180mOhm Max
Abmessungen
0.313 L x 0.115 W (7.94mm x 2.93mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTR1330F-1R2K.

Induktivität
1.2 µH

CTR1330F-1R2K hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
590 mA

CTR1330F-1R2K ist für 590 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
180mOhm Max

CTR1330F-1R2K hat einen DC-Widerstand von 180mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTR1330F-1R2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom590 mA
DC-Widerstand (DCR)180mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.313 L x 0.115 W (7.94mm x 2.93mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 590MA 180 MOHM
SerieCTR1330F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz150MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.145 (3.68mm)
Merkmale-

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