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CTRFB0810F-100K

CTRFB0810F-100K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 5.3A 30 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
5.3 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max
Abmessungen
0.374 Dia (9.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRFB0810F-100K.

Induktivität
10 µH

CTRFB0810F-100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.3 A

CTRFB0810F-100K ist für 5.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max

CTRFB0810F-100K hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRFB0810F-100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom5.3 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm Max
Sättigungsstrom4.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.374 Dia (9.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 5.3A 30 MOHM TH
SerieCTRFB0810F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz22MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.453 (11.50mm)
Merkmale-

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