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CTRFB0810F-822K

CTRFB0810F-822K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 8.2MH 200MA 17.5 OHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 mH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
17.5Ohm Max
Abmessungen
0.374 Dia (9.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRFB0810F-822K.

Induktivität
8.2 mH

CTRFB0810F-822K hat eine Induktivität von 8.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

CTRFB0810F-822K ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
17.5Ohm Max

CTRFB0810F-822K hat einen DC-Widerstand von 17.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRFB0810F-822K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität8.2 mH
Toleranz±10%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)17.5Ohm Max
Sättigungsstrom150mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.374 Dia (9.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.2MH 200MA 17.5 OHM
SerieCTRFB0810F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz600kHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.453 (11.50mm)
Merkmale-

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