Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTRFB1010F-101K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRFB1010F-101K.
CTRFB1010F-101K hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTRFB1010F-101K ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTRFB1010F-101K hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTRFB1010F-101K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 2.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 150mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.9A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.433 Dia (11.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 100UH 2.2A 150 MOHM TH |
| Serie | CTRFB1010F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 7MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.453 (11.50mm) |
