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CTRFB1010F-101K

CTRFB1010F-101K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 2.2A 150 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
2.2 A
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max
Abmessungen
0.433 Dia (11.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRFB1010F-101K.

Induktivität
100 µH

CTRFB1010F-101K hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.2 A

CTRFB1010F-101K ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max

CTRFB1010F-101K hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRFB1010F-101K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±10%
Nennstrom2.2 A
DC-Widerstand (DCR)150mOhm Max
Sättigungsstrom1.9A
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.433 Dia (11.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100UH 2.2A 150 MOHM TH
SerieCTRFB1010F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz7MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.453 (11.50mm)
Merkmale-

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