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CTRFB1010F-222K

CTRFB1010F-222K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 2.2MH 500MA 4.1 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
2.2 mH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
4.1Ohm Max
Abmessungen
0.433 Dia (11.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRFB1010F-222K.

Induktivität
2.2 mH

CTRFB1010F-222K hat eine Induktivität von 2.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

CTRFB1010F-222K ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.1Ohm Max

CTRFB1010F-222K hat einen DC-Widerstand von 4.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRFB1010F-222K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 mH
Toleranz±10%
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)4.1Ohm Max
Sättigungsstrom410mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.433 Dia (11.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2MH 500MA 4.1 OHM TH
SerieCTRFB1010F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz1.3MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.453 (11.50mm)
Merkmale-

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