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CTRFB1010F-680K

CTRFB1010F-680K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 68UH 2.8A 120 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
68 µH
Nennstrom
2.8 A
DC-Widerstand (DCR)
120mOhm Max
Abmessungen
0.433 Dia (11.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRFB1010F-680K.

Induktivität
68 µH

CTRFB1010F-680K hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.8 A

CTRFB1010F-680K ist für 2.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
120mOhm Max

CTRFB1010F-680K hat einen DC-Widerstand von 120mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRFB1010F-680K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität68 µH
Toleranz±10%
Nennstrom2.8 A
DC-Widerstand (DCR)120mOhm Max
Sättigungsstrom2.3A
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.433 Dia (11.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 68UH 2.8A 120 MOHM TH
SerieCTRFB1010F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz7.5MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.453 (11.50mm)
Merkmale-

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