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CTRL5480F-1-100K

CTRL5480F-1-100K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 620MA 60 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
620 mA
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max
Abmessungen
0.224 Dia (5.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-1-100K.

Induktivität
10 µH

CTRL5480F-1-100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
620 mA

CTRL5480F-1-100K ist für 620 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max

CTRL5480F-1-100K hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-1-100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom620 mA
DC-Widerstand (DCR)60mOhm Max
Sättigungsstrom920mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.224 Dia (5.70mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 620MA 60 MOHM TH
SerieCTRL5480F-1
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.337 (8.57mm)
Merkmale-

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