CTRL5480F-1-121K
Central Technologies
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTRL5480F-1-121K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 µH, Nennstrom 190 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 640mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-1-121K.
CTRL5480F-1-121K hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTRL5480F-1-121K ist für 190 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTRL5480F-1-121K hat einen DC-Widerstand von 640mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTRL5480F-1-121K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 190 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 640mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 270mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.224 Dia (5.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 120UH 190MA 640 MOHM |
| Serie | CTRL5480F-1 |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.337 (8.57mm) |
