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CTRL5480F-1-121K

CTRL5480F-1-121K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 120UH 190MA 640 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 µH
Nennstrom
190 mA
DC-Widerstand (DCR)
640mOhm Max
Abmessungen
0.224 Dia (5.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-1-121K.

Induktivität
120 µH

CTRL5480F-1-121K hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
190 mA

CTRL5480F-1-121K ist für 190 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
640mOhm Max

CTRL5480F-1-121K hat einen DC-Widerstand von 640mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-1-121K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 µH
Toleranz±10%
Nennstrom190 mA
DC-Widerstand (DCR)640mOhm Max
Sättigungsstrom270mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.224 Dia (5.70mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120UH 190MA 640 MOHM
SerieCTRL5480F-1
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.337 (8.57mm)
Merkmale-

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