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CTRL5480F-1-221K

CTRL5480F-1-221K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 220UH 150MA 1.2 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
220 µH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max
Abmessungen
0.224 Dia (5.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-1-221K.

Induktivität
220 µH

CTRL5480F-1-221K hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

CTRL5480F-1-221K ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max

CTRL5480F-1-221K hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-1-221K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität220 µH
Toleranz±10%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)1.2Ohm Max
Sättigungsstrom190mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.224 Dia (5.70mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 220UH 150MA 1.2 OHM TH
SerieCTRL5480F-1
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.337 (8.57mm)
Merkmale-

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